Los físicos del MIT han creado un transistor utilizando un material ferroeléctrico ultrafino que separa las cargas positivas y negativas en diferentes capas. El material ferroeléctrico se apila en una configuración paralela y, cuando se aplica un campo eléctrico, las capas se deslizan ligeramente unas sobre otras y alteran las posiciones de los átomos de boro y nitrógeno, lo que cambia drásticamente las propiedades electrónicas del material.
El transistor no mostró signos de degradación incluso después de 100 000 millones de conmutaciones. En comparación, los dispositivos de memoria flash convencionales se desgastan rápidamente y requieren métodos sofisticados para distribuir las operaciones de lectura y escritura por todo el chip.
El transistor ultrafino, con un grosor de solo milmillonésimas de metro, abre nuevas posibilidades para el almacenamiento de memoria informática mucho más denso y transistores más eficientes desde el punto de vista energético.
Este tipo de almacenamiento de memoria denso y transistores energéticamente eficientes son especialmente importantes para aplicaciones de IA que requieren una gran potencia de procesamiento.
Cabe destacar su capacidad para cambiar entre cargas positivas y negativas —esencialmente ceros y unos— a velocidades de nanosegundos. Esta rápida capacidad de cambio es clave para la informática de alto rendimiento y el procesamiento de datos.
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