麻省理工学院在晶体管领域的激动人心创新

麻省理工学院的物理学家利用一种超薄铁电材料制造出新型晶体管，该材料能将正负电荷分离至不同层。铁电材料以平行结构堆叠，当施加电场时，各层会轻微滑动，从而改变硼原子和氮原子的位置，使材料的电子特性发生显著变化。

即使经过1000亿次开关操作，该晶体管仍未显现任何退化迹象。相比之下，传统闪存设备会迅速磨损，需要采用复杂方法在芯片上分配读写操作。

这种超薄晶体管——厚度仅为十亿分之一米——为实现更密集的计算机存储器和更节能的晶体管开辟了可能性。

如此高密度的存储器和节能型晶体管对于需要巨大处理能力的人工智能应用尤为重要。

尤其值得注意的是，它能在纳秒级速度下在正负电荷之间切换——本质上就是0和1的转换。这种快速切换能力对高性能计算和数据处理至关重要。

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